SUM60N10-17-E3 与 IRFS4510TRLPBF 区别
| 型号 | SUM60N10-17-E3 | IRFS4510TRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SUM60N10-17-E3 | A-IRFS4510TRLPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 100 V 16.5 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-263 | N-Channel 100 V 13.9 mO 58 nC SMT HEXFET Power Mosfet - D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 16.5 mOhms @ 30A,10V | 13.9mΩ@37A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.75W(Ta),150W(Tc) | 140W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263AB | D2PAK |
| 连续漏极电流Id | 60A(Tc) | 61A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3180pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 87nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 100µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3180pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 87nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 35 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUM60N10-17-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
60A(Tc) N-Channel 16.5 mOhms @ 30A,10V 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 100V |
暂无价格 | 35 | 当前型号 |
|
STB60NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
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PSMN015-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 300W 175°C 3V 100V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF3710ZSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@35A,10V N-Channel 100V 59A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
PSMN015-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 300W 175°C 3V 100V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRFS4510TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.9mΩ@37A,10V N-Channel 100V 61A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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