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SUM45N25-58-E3  与  FDB44N25TM  区别

型号 SUM45N25-58-E3 FDB44N25TM
唯样编号 A-SUM45N25-58-E3 A3-FDB44N25TM
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET MOSFET
描述 Single N-Channel 250 V 0.058 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-263-3 N-Channel 250 V 0.069 Ohm Surface Mount UniFET Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 58m Ohms@20A,10V -
漏源极电压Vds 250V -
Pd-功率耗散(Max) 3.75W(Ta),375W(Tc) -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
连续漏极电流Id 45A -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
库存与单价
库存 0 800
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUM45N25-58-E3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 45A(Tc) ±30V 3.75W(Ta),375W(Tc) 58m Ohms@20A,10V -55°C~175°C(TJ) 250V 45A TO-263-3

暂无价格 0 当前型号
IRFS4229PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 330W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 48mΩ@26A,10V N-Channel 250V 45A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS4229TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 330W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 48mΩ@26A,10V N-Channel 250V 45A D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 对比
FDB44N25TM ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

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