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SUD50P04-08-GE3  与  IPD50P04P4L11ATMA1  区别

型号 SUD50P04-08-GE3 IPD50P04P4L11ATMA1
唯样编号 A-SUD50P04-08-GE3 A-IPD50P04P4L11ATMA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 58W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.1mΩ@22A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),73.5W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3900pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 85uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 10V
系列 SUD -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5380pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 159nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 10.6 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 40V
库存与单价
库存 70 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
2,000+ :  ¥5.1474
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥5.1474 

阶梯数 价格
2,000: ¥5.1474
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