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SUD50N06-09L-E3  与  IRFR48ZTRPBF  区别

型号 SUD50N06-09L-E3 IRFR48ZTRPBF
唯样编号 A-SUD50N06-09L-E3 A-IRFR48ZTRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 0.0093 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 Single N-Channel 55 V 11 mOhm 60 nC 91 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.3mΩ@20A,10V 11mΩ@37A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),136W(Tc) 91W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252 D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 50A 62A
系列 TrenchFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 4V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2650pF @ 25V 1720pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V 60nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1720pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD50N06-09L-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Ta),136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 60V 50A 9.3mΩ@20A,10V

暂无价格 0 当前型号
TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta)

¥8.3367 

阶梯数 价格
20: ¥8.3367
50: ¥6.4107
100: ¥5.7687
300: ¥5.3374
500: ¥5.2512
1,000: ¥5.1841
1,734 对比
TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta)

¥8.3367 

阶梯数 价格
20: ¥8.3367
50: ¥6.4107
100: ¥5.7687
300: ¥5.3374
500: ¥5.2512
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1,491 对比
AOD2610 AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 10.7mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 60V 46A TO252 71.5W

暂无价格 0 对比
AOD2610E AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V ±20V 46A 59.5W 9.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥2.2005 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.2005
0 对比
IRFR48ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 91W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@37A,10V N-Channel 55V 62A D-Pak

暂无价格 0 对比

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