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SUD50N06-09L-E3  与  AOD2610E  区别

型号 SUD50N06-09L-E3 AOD2610E
唯样编号 A-SUD50N06-09L-E3 A-AOD2610E
制造商 Vishay AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 0.0093 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 28
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.3mΩ@20A,10V 9.5mΩ@20A,10V
ESD Diode - Yes
漏源极电压Vds 60V 60V
Rds On(Max)@4.5V - 13.3mΩ
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),136W(Tc) 59.5W
Qrr(nC) - 65
VGS(th) - 2.4
Qgd(nC) - 3.5
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252 TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 50A 46A
系列 TrenchFET® -
Ciss(pF) - 1100
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2650pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Trr(ns) - 19
Coss(pF) - 300
Qg*(nC) - 7
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
2,500+ :  ¥2.2005
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD50N06-09L-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 3W(Ta),136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 60V 50A 9.3mΩ@20A,10V

暂无价格 0 当前型号
TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta)

¥8.3367 

阶梯数 价格
20: ¥8.3367
50: ¥6.4107
100: ¥5.7687
300: ¥5.3374
500: ¥5.2512
1,000: ¥5.1841
1,734 对比
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50: ¥6.4107
100: ¥5.7687
300: ¥5.3374
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1,491 对比
AOD2610 AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 10.7mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 60V 46A TO252 71.5W

暂无价格 0 对比
AOD2610E AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V ±20V 46A 59.5W 9.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥2.2005 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.2005
0 对比
IRFR48ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 91W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@37A,10V N-Channel 55V 62A D-Pak

暂无价格 0 对比

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