SUD50N06-09L-E3 与 AOD2610 区别
| 型号 | SUD50N06-09L-E3 | AOD2610 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SUD50N06-09L-E3 | A-AOD2610 |
| 制造商 | Vishay | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 60 V 0.0093 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.3mΩ@20A,10V | 10.7mΩ@20A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta),136W(Tc) | 71.5W |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | TO252 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 50A | 46A |
| 系列 | TrenchFET® | AOD |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2650pF @ 25V | 2410pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 70nC @ 10V | 25nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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SUD50N06-09L-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta),136W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-252 N-Channel 60V 50A 9.3mΩ@20A,10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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TK60S06K3L(T6L1,NQ | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta) |
￥8.3367
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1,734 | 对比 | ||||||||||||||
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TK60S06K3L(T6L1,NQ | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 88W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 60A(Ta) |
￥8.3367
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1,491 | 对比 | ||||||||||||||
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AOD2610 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 10.7mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 60V 46A TO252 71.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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AOD2610E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 46A 59.5W 9.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥2.2005
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0 | 对比 | ||||||||||||||
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IRFR48ZTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 91W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@37A,10V N-Channel 55V 62A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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