SUD50N04-8M8P-4GE3 与 IRFR4104TRPBF 区别
| 型号 | SUD50N04-8M8P-4GE3 | IRFR4104TRPBF | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SUD50N04-8M8P-4GE3 | A-IRFR4104TRPBF | ||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.8mΩ@20A,10V | 5.5mΩ@42A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W(Ta),48.1W(Tc) | 140W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | DPAK | D-Pak | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 14A | 119A | ||
| 系列 | SUD | HEXFET® | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2400pF @ 20V | 2950pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 56nC @ 10V | 89nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 50 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUD50N04-8M8P-4GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),48.1W(Tc) 8.8mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 40V 14A |
￥3.0573
|
0 | 当前型号 | ||||
|
AOD486A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 40V 20V 50A 50W 9.8mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
AUIRFR3504TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40V 56A(Tc) ±20V 140W(Tc) 9.2mΩ@30A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
BUK7208-40B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 167W 185°C 3V 40V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
STD44N4LF6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 10,000 | 对比 | ||||
|
IRFR4104TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 140W(Tc) 5.5mΩ@42A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 119A 40V D-Pak |
暂无价格 | 50 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
