SUD35N10-26P-GE3 与 STD40NF10 区别
| 型号 | SUD35N10-26P-GE3 | STD40NF10 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SUD35N10-26P-GE3 | A3-STD40NF10 |
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | SUD35N10-26P Series N-Channel 100 V 0.026 Ohms 83 W SMT Power Mosfet - TO-252-3 | MOSFET N-CH 100V 50A DPAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 26m Ohms@12A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 8.3W(Ta),83W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-252-3,Dpak,SC-63 | TO-252-3 |
| 连续漏极电流Id | 35A(Tc) | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2000pF @ 12V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 47nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 7V,10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 80 | 12,500 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SUD35N10-26P-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 100V 35A(Tc) ±20V 8.3W(Ta),83W(Tc) 26m Ohms@12A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 |
暂无价格 | 80 | 当前型号 |
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IRLR2908PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 120W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 28mΩ@23A,10V N-Channel 80V 39A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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AOD2910E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V ±20V 37A 71.5W 23mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
AOD4126 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V ±25V 43A 100W 24mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
FDD3860 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
6.2A(Ta) ±20V 3.1W(Ta),69W(Tc) 36m Ohms@5.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 100V 6.2A TO-252AA |
暂无价格 | 67,500 | 对比 |
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STD40NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 12,500 | 对比 |
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