SUD35N10-26P-GE3 与 FDD3860 区别
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规格信息
型号	SUD35N10-26P-GE3	FDD3860
唯样编号	A-SUD35N10-26P-GE3	A3-FDD3860
制造商	Vishay	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	通用MOSFET
描述	SUD35N10-26P Series N-Channel 100 V 0.026 Ohms 83 W SMT Power Mosfet - TO-252-3	N-Channel 100 V 36 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - DPAK-3
数据表	SUD35N10-26P-GE3.pdf	FDD3860.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	26m Ohms@12A,10V	36m Ohms@5.9A,10V
漏源极电压Vds	100V	100V
Pd-功率耗散(Max)	8.3W(Ta),83W(Tc)	3.1W(Ta),69W(Tc)
栅极电压Vgs	±20V	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-252-3,Dpak,SC-63	TO-252AA
连续漏极电流Id	35A(Tc)	6.2A
工作温度	-55°C~175°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
系列	TrenchFET®	PowerTrench®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4.4V @ 250µA	4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2000pF @ 12V	1740pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	47nC @ 10V	31nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	7V,10V	10V
库存与单价
库存	80	67,500
工厂交货期	3 - 5天	3 - 15天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
SUD35N10-26P-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	N-Channel 100V 35A(Tc) ±20V 8.3W(Ta),83W(Tc) 26m Ohms@12A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63	暂无价格	80	当前型号
IRLR2908PBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±16V 120W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 28mΩ@23A,10V N-Channel 80V 39A D-Pak	暂无价格	0	对比
AOD2910E	AOS	数据手册	功率MOSFET	TO-252 N-Channel 100V ±20V 37A 71.5W 23mΩ@20A,10V -55°C~175°C	暂无价格	0	对比
AOD4126	AOS	数据手册	功率MOSFET	TO-252 N-Channel 100V ±25V 43A 100W 24mΩ@20A,10V -55°C~175°C	暂无价格	0	对比
FDD3860	ON Semiconductor	数据手册	通用MOSFET	6.2A(Ta) ±20V 3.1W(Ta),69W(Tc) 36m Ohms@5.9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 100V 6.2A TO-252AA	暂无价格	67,500	对比
STD40NF10	STMicro	数据手册	通用MOSFET	TO-252-3	暂无价格	12,500	对比