SUD20N10-66L-GE3 与 DMN10H099SK3-13 区别
| 型号 | SUD20N10-66L-GE3 | DMN10H099SK3-13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-SUD20N10-66L-GE3 | A-DMN10H099SK3-13 |
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 17A TO252 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 66 mOhms @ 6.6A,10V | 80mΩ@3.3A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.1W(Ta),41.7W(Tc) | 34W(Tc) |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK |
| 连续漏极电流Id | 16.9A(Tc) | 17A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1172pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25.2nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 6V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 35 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SUD20N10-66L-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
16.9A(Tc) N-Channel 66 mOhms @ 6.6A,10V 2.1W(Ta),41.7W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 35 | 当前型号 | ||||
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A |
￥1.4011
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0 | 对比 | ||||
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AOD4286 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 100V ±20V 14A 30W 68mΩ@5A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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NTD6415ANT4G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFR3910PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
115mΩ@10A,10V ±20V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 16A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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