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SUD19N20-90-E3  与  PSMN130-200D,118  区别

型号 SUD19N20-90-E3 PSMN130-200D,118
唯样编号 A-SUD19N20-90-E3 A-PSMN130-200D,118
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 0.09 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 90mΩ@5A,10V -
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),136W(Tc) 150W
输出电容 - 207pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK SOT428
连续漏极电流Id 19A 20A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C
系列 TrenchFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 25V -
输入电容 - 2470pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 130mΩ@10V
库存与单价
库存 5 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD19N20-90-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 19A(Tc) ±20V 3W(Ta),136W(Tc) 90mΩ@5A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 200V 19A

暂无价格 5 当前型号
PSMN130-200D,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 200V 20A

暂无价格 0 对比

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