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SUD15N15-95-E3  与  IRFR13N15DPBF  区别

型号 SUD15N15-95-E3 IRFR13N15DPBF
唯样编号 A-SUD15N15-95-E3 A-IRFR13N15DPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 0.095 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 Single N-Channel 150 V 86 W 19 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 95mΩ@15A,10V 180mΩ@8.3A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 2.7W(Ta),62W(Tc) 86W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK D-Pak
连续漏极电流Id 15A 14A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 TrenchFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA(最小) 5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 900pF @ 25V 620pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V 29nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 620pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 29nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD15N15-95-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 15A(Tc) ±20V 2.7W(Ta),62W(Tc) 95mΩ@15A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK 150V 15A

暂无价格 0 当前型号
IRFR24N15DTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 95mΩ@14A,10V N-Channel 150V 24A D-Pak

暂无价格 0 对比
AOD256 AOS 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 150V 20V 19A 83W 85mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AOD4454 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 150V 20V 20A 100W 94mΩ@10V

¥2.5777 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.5777
0 对比
IRFR13N15DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 86W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@8.3A,10V N-Channel 150V 14A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR18N15DTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 125mΩ@11A,10V N-Channel 150V 18A D-Pak

暂无价格 0 对比

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