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SUD08P06-155L-GE3  与  NTD2955T4G  区别

型号 SUD08P06-155L-GE3 NTD2955T4G
唯样编号 A-SUD08P06-155L-GE3 A36-NTD2955T4G
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 60 V 155 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-252 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 155 mOhms @ 5A,10V 180mΩ@6A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.7W(Ta),20.8W(Tc) 55W(Tj)
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,Dpak,SC-63
连续漏极电流Id 8.4A(Tc) 12A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55°C~175°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 750pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 750pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
库存与单价
库存 30 20,276
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.409
100+ :  ¥1.848
1,250+ :  ¥1.617
2,500+ :  ¥1.54
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUD08P06-155L-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.4A(Tc) P-Channel 155 mOhms @ 5A,10V 1.7W(Ta),20.8W(Tc) TO-252 -55°C~150°C 60V

暂无价格 30 当前型号
NTD2955T4G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V TO-252-3,Dpak,SC-63 P-Channel 60V 12A(Ta)

¥2.409 

阶梯数 价格
30: ¥2.409
100: ¥1.848
1,250: ¥1.617
2,500: ¥1.54
20,276 对比
FQD11P06TM ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

TO-252AA

暂无价格 2,500 对比
STD10P6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 2,500 对比
STD10P6F6 TI 未分类

暂无价格 0 对比
STD10P6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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