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STW70N65M2  与  R6076ENZ1C9  区别

型号 STW70N65M2 R6076ENZ1C9
唯样编号 A-STW70N65M2 A-R6076ENZ1C9
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 42mΩ@44.4A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 120W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 76A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6500pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 260nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 450
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥179.0578
100+ :  ¥103.4954
450+ :  ¥65.6161
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW70N65M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
R6076ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A

¥179.0578 

阶梯数 价格
1: ¥179.0578
100: ¥103.4954
450: ¥65.6161
450 对比
R6076ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A

暂无价格 90 对比
R6076ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A

¥54.2364 

阶梯数 价格
3: ¥54.2364
10: ¥52.7512
45 对比
SPW20N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPW20N60C3FKSA1_600V 20.7A 190mΩ 10V 208W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
SPW20N60C3FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPW20N60C3_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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