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STW70N60DM2  与  IPW65R045C7FKSA1  区别

型号 STW70N60DM2 IPW65R045C7FKSA1
唯样编号 A-STW70N60DM2 A-IPW65R045C7FKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 227W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ@33A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 446W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4340pF @ 400V
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
连续漏极电流Id 66A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1.25mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 93nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 45 毫欧 @ 24.9A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 46A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5508pF @ 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 121nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW70N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 66A(Tc) ±25V 446W(Tc) 42mΩ@33A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
STWA72N60DM2AG STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247 车规

暂无价格 3,000 对比
IPW65R045C7FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R045C7_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
STWA72N60DM2AG STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247 车规

暂无价格 0 对比

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