STW65N80K5 与 SCT3060ALHRC11 区别
| 型号 | STW65N80K5 | SCT3060ALHRC11 | ||||
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| 唯样编号 | A-STW65N80K5 | A32-SCT3060ALHRC11-1 | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | SiC MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 46A TO247 | SICFET N-CH 650V 39A TO247N | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 165W | ||||
| 技术 | - | SiCFET(碳化硅) | ||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 852pF @ 500V | ||||
| FET类型 | - | N 通道 | ||||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247N | ||||
| 工作温度 | - | 175°C(TJ) | ||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 5.6V @ 6.67mA | ||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 78 毫欧 @ 13A,18V | ||||
| Vgs(最大值) | - | +22V,-4V | ||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 18V | ||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 39A(Tc) | ||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 650V | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 58nC @ 18V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 420 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
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STW65N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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SCT3060ALHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
￥171.0555
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT3060ALHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
￥214.6344
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420 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT3060ALHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
￥171.0555
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186 | 对比 | ||||||||||||||||||
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SCT3060ALHRC11 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | SiC MOSFET |
175°C(TJ) N 通道 TO-247N 车规 |
暂无价格 | 8 | 对比 | ||||||||||||||||||
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FCH072N60F | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
52A(Tc) ±20V 481W(Tc) 72m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 52A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
