STW37N60DM2AG 与 R6030ENZ1C9 区别
| 型号 | STW37N60DM2AG | R6030ENZ1C9 | ||||||
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| 唯样编号 | A-STW37N60DM2AG | A-R6030ENZ1C9 | ||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 28A TO247 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 130mΩ@14.5A,10V | ||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 120W(Tc) | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 30A(Tc) | ||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 1mA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2100pF @ 25V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 85nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 30 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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STW37N60DM2AG | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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R6030ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
￥68.5567
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30 | 对比 | ||||||||
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R6030ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
暂无价格 | 27 | 对比 | ||||||||
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R6030ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
暂无价格 | 6 | 对比 | ||||||||
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IPW65R110CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 277.8W(Tc) 110mΩ@12.7A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 31.2A(Tc) 650V PG-TO247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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STP35N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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