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STW37N60DM2AG  与  IPW65R110CFD  区别

型号 STW37N60DM2AG IPW65R110CFD
唯样编号 A-STW37N60DM2AG A-IPW65R110CFD
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 28A TO247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 110mΩ@12.7A,10V
上升时间 - 11ns
产品特性 车规 -
Qg-栅极电荷 - 118nC
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-247-3 PG-TO247-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 31.2A(Tc)
配置 - Single
长度 - 16.13mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 6ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3240pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 1.3mA
高度 - 21.1mm
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 277.8W(Tc)
典型关闭延迟时间 - 68ns
FET类型 - N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCFD2
典型接通延迟时间 - 16ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 118nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW37N60DM2AG STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3 车规

暂无价格 0 当前型号
R6030ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3

¥68.5567 

阶梯数 价格
1: ¥68.5567
100: ¥39.6258
450: ¥25.1227
30 对比
R6030ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3

暂无价格 27 对比
R6030ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3

暂无价格 6 对比
IPW65R110CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R110CFDFKSA1_±20V 277.8W(Tc) 110mΩ@12.7A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 31.2A(Tc) 650V PG-TO247-3

暂无价格 0 对比
STP35N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

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