STW37N60DM2AG 与 IPW65R110CFD 区别
| 型号 | STW37N60DM2AG | IPW65R110CFD |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STW37N60DM2AG | A-IPW65R110CFD |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 28A TO247 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 5.21mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 110mΩ@12.7A,10V |
| 上升时间 | - | 11ns |
| 产品特性 | 车规 | - |
| Qg-栅极电荷 | - | 118nC |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | PG-TO247-3 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 31.2A(Tc) |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 16.13mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | - | 6ns |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3240pF @ 100V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 1.3mA |
| 高度 | - | 21.1mm |
| 漏源极电压Vds | - | 650V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 277.8W(Tc) |
| 典型关闭延迟时间 | - | 68ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 系列 | - | CoolMOSCFD2 |
| 典型接通延迟时间 | - | 16ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 118nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STW37N60DM2AG | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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R6030ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
￥68.5567
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30 | 对比 | ||||||||
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R6030ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
暂无价格 | 27 | 对比 | ||||||||
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R6030ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
暂无价格 | 6 | 对比 | ||||||||
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IPW65R110CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 277.8W(Tc) 110mΩ@12.7A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 31.2A(Tc) 650V PG-TO247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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STP35N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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