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STW33N60M2  与  R6030ENZ1C9  区别

型号 STW33N60M2 R6030ENZ1C9
唯样编号 A-STW33N60M2 A33-R6030ENZ1C9
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.125 Ohm 45.5 nC 190 W Flange Mount Mosfet - TO-247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 130mΩ@14.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 120W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
连续漏极电流Id - 30A(Tc)
工作温度 - 150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2100pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 85nC @ 10V
库存与单价
库存 0 6
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW33N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
R6030ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3

¥68.5567 

阶梯数 价格
1: ¥68.5567
100: ¥39.6258
450: ¥25.1227
30 对比
R6030ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3

暂无价格 27 对比
R6030ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3

暂无价格 6 对比
STP33N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
IPW60R099CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R099CPFKSA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 31A 90mΩ 20V 255W N-Channel

暂无价格 0 对比

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