首页 > 商品目录 > > > > STW33N60M2代替型号比较

STW33N60M2  与  IPW60R099CP  区别

型号 STW33N60M2 IPW60R099CP
唯样编号 A-STW33N60M2 A-IPW60R099CP
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.125 Ohm 45.5 nC 190 W Flange Mount Mosfet - TO-247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 90mΩ
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 255W
Qg-栅极电荷 - 80nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 60ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 -
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 31A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCE
长度 - 16.13mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 10ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2800pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 80nC @ 10V
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW33N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
R6030ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3

¥68.5567 

阶梯数 价格
1: ¥68.5567
100: ¥39.6258
450: ¥25.1227
30 对比
R6030ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3

暂无价格 27 对比
R6030ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 30A(Tc) ±20V 120W(Tc) 130mΩ@14.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3

暂无价格 6 对比
STP33N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
IPW60R099CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R099CPFKSA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 31A 90mΩ 20V 255W N-Channel

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售