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STW30N65M5  与  SCT3080ALGC11  区别

型号 STW30N65M5 SCT3080ALGC11
唯样编号 A-STW30N65M5 A-SCT3080ALGC11
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET SiC MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3 SCT3080AL Series 650 V 30 A 104 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 104mΩ@10A,18V
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 134W(Tc)
栅极电压Vgs - +22V,-4V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247N
工作温度 - 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 30A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5.6V @ 5mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 571pF @ 500V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 18V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 18V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW30N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

暂无价格 0 对比
IPW60R125C6FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R125C6_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPW60R125P6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R125P6_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

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IPW60R120P7_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

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IPW65R110CFDFKSA1_±20V 277.8W(Tc) 110mΩ@12.7A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 31.2A(Tc) 650V PG-TO247-3

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