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STW30N65M5  与  IPW65R110CFD  区别

型号 STW30N65M5 IPW65R110CFD
唯样编号 A-STW30N65M5 A-IPW65R110CFD
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 110mΩ@12.7A,10V
上升时间 - 11ns
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 277.8W(Tc)
Qg-栅极电荷 - 118nC
典型关闭延迟时间 - 68ns
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 PG-TO247-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 31.2A(Tc)
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCFD2
长度 - 16.13mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 6ns
典型接通延迟时间 - 16ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3240pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 1.3mA
高度 - 21.1mm
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 118nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW30N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

暂无价格 0 对比
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IPW65R110CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R110CFDFKSA1_±20V 277.8W(Tc) 110mΩ@12.7A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 31.2A(Tc) 650V PG-TO247-3

暂无价格 0 对比

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