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STW30N65M5  与  IPW60R125P6XKSA1  区别

型号 STW30N65M5 IPW60R125P6XKSA1
唯样编号 A-STW30N65M5 A-IPW60R125P6XKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3 MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 219W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2660pF @ 100V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 960uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 125 毫欧 @ 11.6A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 30A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW30N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

暂无价格 0 对比
IPW60R125C6FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R125C6_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPW60R125P6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R125P6_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
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IPW60R120P7_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

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IPW65R110CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R110CFDFKSA1_±20V 277.8W(Tc) 110mΩ@12.7A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 31.2A(Tc) 650V PG-TO247-3

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