STW28N60M2 与 R6030JNZ4C13 区别
| 型号 | STW28N60M2 | R6030JNZ4C13 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STW28N60M2 | A3-R6030JNZ4C13 |
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 通孔 N 通道 600 V 24A（Tc） 170W（Tc） TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 30A TO247G |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 370W(Tc) |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2500pF @ 100V |
| FET类型 | - | N 通道 |
| 封装/外壳 | TO-247 | TO-247G |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 7V @ 5.5mA |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 143 毫欧 @ 15A,15V |
| Vgs(最大值) | - | ±30V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 15V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 30A(Tc) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 600V |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 74nC @ 15V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 70 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STW28N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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R6030JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G |
￥87.2191
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450 | 对比 | ||||||||||||||||||
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R6020ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 120W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
暂无价格 | 120 | 对比 | ||||||||||||||||||
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R6030JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G |
￥87.2191
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98 | 对比 | ||||||||||||||||||
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R6030JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G |
暂无价格 | 70 | 对比 | ||||||||||||||||||
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R6020ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 120W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3 |
￥14.8911
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23 | 对比 |
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