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STW26NM60N  与  SPW20N60S5  区别

型号 STW26NM60N SPW20N60S5
唯样编号 A-STW26NM60N A-SPW20N60S5
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 140 W 60 nC MDmesh Through Hole Mosfet - TO-247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V 190mΩ
上升时间 - 25ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 208W
栅极电压Vgs ±30V 20V
典型关闭延迟时间 - 130ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247 -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 20A 20A
系列 MDmesh™ II CoolMOSS5
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V -
长度 - 16.13mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 30ns
典型接通延迟时间 - 120ns
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 20A

暂无价格 0 当前型号
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

暂无价格 12,000 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

¥6.49 

阶梯数 价格
8: ¥6.49
100: ¥5.181
708 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

暂无价格 0 对比
FCH165N60E ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
SPW20N60S5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPW20N60S5FKSA1_600V 20A 190mΩ 20V 208W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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