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STW26N60M2  与  IPW65R150CFD  区别

型号 STW26N60M2 IPW65R150CFD
唯样编号 A-STW26N60M2 A-IPW65R150CFD
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 135mΩ
上升时间 - 7.6ns
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 195.3W
Qg-栅极电荷 - 86nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 52.8ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 -
连续漏极电流Id - 22.4A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCFD2
长度 - 16.13mm
下降时间 - 5.6ns
典型接通延迟时间 - 12.4ns
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW26N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
IPW65R150CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R150CFDFKSA1_650V 22.4A 135mΩ 20V 195.3W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AOK20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-247 N-Channel 600V 30V 20A 266W 199mΩ@10V

暂无价格 0 对比
AOK27S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-247 N-Channel 600V 30V 27A 357W 160mΩ@10V

暂无价格 0 对比
FCH165N60E ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
R6022YNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247

¥56.2775 

阶梯数 价格
3: ¥56.2775
5: ¥35.5603
10: ¥29.1305
30: ¥24.8376
50: ¥23.9752
100: ¥23.3332
120 对比

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