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STW26N60M2  与  IPW60R160C6  区别

型号 STW26N60M2 IPW60R160C6
唯样编号 A-STW26N60M2 A-IPW60R160C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 140mΩ
上升时间 - 13ns
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 176W
Qg-栅极电荷 - 75nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 96ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 -
连续漏极电流Id - 23.8A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC6
长度 - 16.13mm
下降时间 - 8ns
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW26N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
IPW65R150CFDFKSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPW60R160C6FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R160C6_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPW60R160C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R160C6FKSA1_600V 23.8A 140mΩ 20V 176W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPW60R190E6FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R190E6_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPW65R190C6 Infineon 功率MOSFET

IPW65R190C6FKSA1_650V 20.2A 190mΩ 20V 151W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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