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STW25N60M2-EP  与  IPW65R190E6  区别

型号 STW25N60M2-EP IPW65R190E6
唯样编号 A-STW25N60M2-EP A-IPW65R190E6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
零件号别名 - IPW65R190E6FKSA1 IPW65R190E6XK SP000863906
Rds On(Max)@Id,Vgs - 190mΩ
上升时间 - 12 nS
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 151W
Qg-栅极电荷 - 73nC
典型关闭延迟时间 - 133 nS
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 -
连续漏极电流Id - 20.2A
工作温度 - -55°C~150°C
配置 - Single
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSE6
长度 - 16.13mm
下降时间 - 10 nS
高度 - 21.1mm
栅极电荷 Qg - 73 nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STW25N60M2-EP STMicro 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
SPW24N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPW24N60C3FKSA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 24.3A 160mΩ 20V 240W N-Channel

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FCH165N60E ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

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TK17N65W,S1F Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 165W(Tc) TO-247 150°C(TJ) 650 V 17.3A(Ta)

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IPW60R180P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R180P7XKSA1_TO-247-3 N-Channel 72W 180mΩ@5.6A,10V -55°C~150°C ±20V 650V 18A

暂无价格 0 对比
IPW65R190E6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R190E6FKSA1_650V 20.2A 190mΩ 20V 151W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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