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STU7NM60N  与  SPU07N60S5  区别

型号 STU7NM60N SPU07N60S5
唯样编号 A-STU7NM60N A-SPU07N60S5
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 2.38mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 600mΩ
上升时间 - 40ns
Qg-栅极电荷 - 27nC
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-251-3 PG-TO251-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 7.3A
配置 - Single
长度 - 6.73mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 20ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 350µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 970pF
高度 - 6.22mm
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 83W
典型关闭延迟时间 - 170ns
FET类型 - N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSS5
典型接通延迟时间 - 120ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STU7NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-251-3

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