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STU3N65M6  与  IPU80R1K4CE  区别

型号 STU3N65M6 IPU80R1K4CE
唯样编号 A-STU3N65M6 A-IPU80R1K4CE
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 3.5A IPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 2.38mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.2Ω
上升时间 - 15ns
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 63W
Qg-栅极电荷 - 23nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 72ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-251-3 -
连续漏极电流Id - 3.9A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCE
长度 - 6.73mm
下降时间 - 12ns
典型接通延迟时间 - 25ns
高度 - 6.22mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STU3N65M6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-251-3

暂无价格 0 当前型号
IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPU80R4K5P7_N 通道 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPSA70R1K4P7S Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPSA70R1K4P7SAKMA1_4A IPAK SL ISO-Standoff -40°C~150°C N-Channel 700V 1400mΩ 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比
IPU80R1K4CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPU80R1K4CEAKMA1_800V 3.9A 1.2Ω 20V 63W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPU80R4K5P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPU80R4K5P7AKMA1_4500mΩ 800V 1.5A IPAK (TO-251) N-Channel -55°C~150°C 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比
IPSA70R1K4P7SAKMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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