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STP4NK80Z  与  FQP4N80  区别

型号 STP4NK80Z FQP4N80
唯样编号 A-STP4NK80Z A3t-FQP4N80
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB N-Channel 800 V 3.6 O 130 W 25 nC QFET Mosfet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
工作温度 - -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 3.9A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.6Ω@1.95A,10V
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 130W
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP4NK80Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
FQP3N80C ON Semiconductor 功率MOSFET

3A(Tc) ±30V 107W(Tc) 4.8 Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 800V 3A 4.8 欧姆 @ 1.5A,10V -55°C~150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
FQP4N80 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220 N-Channel 130W 3.6Ω@1.95A,10V -55°C~150°C ±30V 800V 3.9A

暂无价格 0 对比
IRFBE30PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω

暂无价格 14,000 对比
IRFBE30PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω

暂无价格 0 对比
IRFBE30PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω

暂无价格 0 对比

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