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STP35N60DM2  与  IPP60R099P6  区别

型号 STP35N60DM2 IPP60R099P6
唯样编号 A-STP35N60DM2 A-IPP60R099P6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 28A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 89mΩ
上升时间 - 10ns
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 278W
Qg-栅极电荷 - 70nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 50ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id - 37.9A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSP6
长度 - 10mm
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 20ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP35N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IPP60R099P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R099P6XKSA1_600V 37.9A 89mΩ 20V 278W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPP60R099P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R099P7XKSA1_99mΩ 600V 31A TO-220 N-Channel -55°C~150°C 3V,4V

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IPP60R099P6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R099P6_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
FCP104N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

37A(Tc) ±20V 357W(Tc) 104m Ohms@18.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220 N-Channel 600V 37A

暂无价格 0 对比
FCP125N60E ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

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