首页 > 商品目录 > > > > STP33N60M2代替型号比较

STP33N60M2  与  FCP104N60F  区别

型号 STP33N60M2 FCP104N60F
唯样编号 A-STP33N60M2 A-FCP104N60F
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 104m Ohms@18.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 357W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220
连续漏极电流Id - 37A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
系列 - HiPerFET™,Polar™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6130pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 145nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP33N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 当前型号
FCP104N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

37A(Tc) ±20V 357W(Tc) 104m Ohms@18.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220 N-Channel 600V 37A

暂无价格 0 对比
TK25E60X5,S1X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 180W(Tc) TO-220 150°C(TJ) 600 V 25A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPP60R125C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R125C6_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOT42S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 600V ±30V 37A 417W 109mΩ@21A,10V -55°C~150°C

¥23.7636 

阶梯数 价格
340: ¥23.7636
0 对比
IPP60R125C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R125C6XKSA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 30A 125mΩ 20V 219W N-Channel

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售