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STP33N60M2  与  AOT42S60L  区别

型号 STP33N60M2 AOT42S60L
唯样编号 A-STP33N60M2 A-AOT42S60L
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-220 TO-220
连续漏极电流Id - 37A
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 109mΩ@21A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 417W
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
340+ :  ¥23.7636
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP33N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 当前型号
FCP104N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

37A(Tc) ±20V 357W(Tc) 104m Ohms@18.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220 N-Channel 600V 37A

暂无价格 0 对比
TK25E60X5,S1X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 180W(Tc) TO-220 150°C(TJ) 600 V 25A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPP60R125C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R125C6_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOT42S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 600V ±30V 37A 417W 109mΩ@21A,10V -55°C~150°C

¥23.7636 

阶梯数 价格
340: ¥23.7636
0 对比
IPP60R125C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R125C6XKSA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 30A 125mΩ 20V 219W N-Channel

暂无价格 0 对比

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