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STP30NF10  与  IRF1310NPBF  区别

型号 STP30NF10 IRF1310NPBF
唯样编号 A-STP30NF10 A36-IRF1310NPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB Single N-Channel 100 V 160 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 36mΩ@22A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 160W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 42A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1900pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 32
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
8+ :  ¥6.71
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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