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STP24N60M2  与  IPP60R190P6  区别

型号 STP24N60M2 IPP60R190P6
唯样编号 A-STP24N60M2 A33-IPP60R190P6-0
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 18A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 190mΩ
上升时间 - 8ns
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 151W
Qg-栅极电荷 - 37nC
栅极电压Vgs - 10V
典型关闭延迟时间 - 45ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220 -
连续漏极电流Id - 20.2A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSP6
长度 - 10mm
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 15ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 500
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
7+ :  ¥23.889
10+ :  ¥20.0273
50+ :  ¥17.7179
100+ :  ¥15.7823
500+ :  ¥15.7631
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 当前型号
IPP60R190P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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¥23.889 

阶梯数 价格
7: ¥23.889
10: ¥20.0273
50: ¥17.7179
100: ¥15.7823
500: ¥15.7631
500 对比
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IPP60R190P6XKSA1_10mm

¥23.889 

阶梯数 价格
7: ¥23.889
10: ¥20.0273
50: ¥17.7179
100: ¥15.7823
100 对比
FCP165N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

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