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STP20NF20  与  IRF640NPBF  区别

型号 STP20NF20 IRF640NPBF
唯样编号 A-STP20NF20 A36-IRF640NPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67 nC 150 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 150mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds - 200V
Pd-功率耗散(Max) - 150W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 18A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1160pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 67nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 3,699
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥1.925
50+ :  ¥1.474
1,000+ :  ¥1.232
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