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STP18N60M2  与  SPP15N60C3  区别

型号 STP18N60M2 SPP15N60C3
唯样编号 A-STP18N60M2 A-SPP15N60C3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 13A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 280mΩ
上升时间 - 5ns
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.1V,3.9V
封装/外壳 TO-220 TO-220
连续漏极电流Id - 15A
工作温度 - -55°C~150°C
配置 - Single
QG (typ @10V) - 63.0 nC
Ptot max - 156.0W
长度 - 10mm
下降时间 - 5ns
高度 - 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 1.35
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 156W
典型关闭延迟时间 - 50ns
FET类型 - N-Channel
Mounting - THT
RthJC max - 0.8 K/W
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC3
典型接通延迟时间 - 10ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP18N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 当前型号
IPP50R280CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP50R280CEXKSA1_500V 13A 280mΩ 13V 92W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPP60R299CPXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R299CP_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPP60R190C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R190C6XKSA1_-55°C~150°C(TJ) 600V 20.2A 170mΩ 20V 151W N-Channel

暂无价格 0 对比
SPP15N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP15N60C3XKSA1_156W 280mΩ 600V 15A TO-220 N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
SPP20N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP20N60C3HKSA1_208W TO-220 20.7A N-Channel 600V 2.1V,3.9V 190mΩ -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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