首页 > 商品目录 > > > > STP18N55M5代替型号比较

STP18N55M5  与  IPI50R350CP  区别

型号 STP18N55M5 IPI50R350CP
唯样编号 A-STP18N55M5 A-IPI50R350CP
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 350mΩ
上升时间 - 14ns
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 89W
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 80ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 10A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCE
长度 - 10.2mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 12ns
典型接通延迟时间 - 35ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 370µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1020pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
高度 - 9.45mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP18N55M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IPI50R350CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI50R350CPXKSA1_10.2mm

暂无价格 0 对比
IPW50R250CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW50R250CPFKSA1_16.13mm

暂无价格 0 对比
AOT22N50L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
IPP50R280CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP50R280CEXKSA1_10mm

暂无价格 0 对比
IPP50R280CEXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP50R280CE_TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售