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STP150N10F7  与  IRFB4310ZPBF  区别

型号 STP150N10F7 IRFB4310ZPBF
唯样编号 A-STP150N10F7 A-IRFB4310ZPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 110A TO220 Single N-Channel 100 V 250 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 250W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 127A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6860pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6860pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP150N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
AOT292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 100V 20V 105A 300W 4.5mΩ@10V

¥12.2449 

阶梯数 价格
1: ¥12.2449
100: ¥8.8235
500: ¥7.5949
1,000: ¥6
1,000 对比
IRFB4110PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 370W(Tc) 4.5mΩ@75A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 180A 100V TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
IRFB4310ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A TO-220AB

暂无价格 1,000 对比
PSMN4R3-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R3-100PS_SOT78 N-Channel 338W 175℃ 3V 100V 120A

¥17.7614 

阶梯数 价格
20: ¥17.7614
50: ¥14.5585
0 对比
IPP100N10S3-05 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP100N10S305AKSA1_100V 100A 4.8mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C 车规

暂无价格 0 对比

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