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STP13N60M2  与  SPP12N50C3  区别

型号 STP13N60M2 SPP12N50C3
唯样编号 A-STP13N60M2 A-SPP12N50C3
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 380mΩ
上升时间 - 8ns
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 125W
Rth - 1.0K/W
典型关闭延迟时间 - 45ns
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.1V,3.9V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220
连续漏极电流Id - 11.6A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC3
Ptot max - 125.0W
长度 - 10mm
QG - 49.0nC
下降时间 - 8ns
典型接通延迟时间 - 10ns
高度 - 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 0.82
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP13N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 当前型号
SPP11N60C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP11N60C3_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRFB16N60LPBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

16A(Tc) N-Channel 460 mOhms @ 9A,10V 310W(Tc) TO-220-3 -55℃~150℃ 600V

暂无价格 0 对比
IPP50R399CPHKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP50R399CP_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPP60R380C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R380C6XKSA1_600V 10.6A 340mΩ 20V 83W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
SPP12N50C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP12N50C3XKSA1_125W 380mΩ 500V 11.6A TO-220 N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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