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STP13N60M2  与  AOT20N60L  区别

型号 STP13N60M2 AOT20N60L
唯样编号 A-STP13N60M2 A-AOT20N60L
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 370mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 417W
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220 TO-220
连续漏极电流Id - 20A(Tc)
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3680pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 74nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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