STP11NM60 与 SIHP12N60E-GE3 区别
| 型号 | STP11NM60 | SIHP12N60E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STP11NM60 | A3t-SIHP12N60E-GE3 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB | E-Series N-Channel 600 V 147 W 0.38 O 58 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 380mΩ |
| 上升时间 | - | 19ns |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 147W |
| Qg-栅极电荷 | - | 29nC |
| 栅极电压Vgs | - | 4V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 35ns |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 12A |
| 系列 | - | E |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 937pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 58nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | - | 19ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 14ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP11NM60 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IPP80R600P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600mΩ 800V 8A TO-220 -55°C~150°C N-Channel 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SIHP12N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 12A 147W 380mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFB9N65APBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.5A(Tc) N-Channel 930 mOhms @ 5.1A,10V 167W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 650V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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