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STP11NM60  与  IRFB9N65APBF  区别

型号 STP11NM60 IRFB9N65APBF
唯样编号 A-STP11NM60 A3t-IRFB9N65APBF
制造商 STMicroelectronics Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB Single N-Channel 650 V 0.93 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
连续漏极电流Id - 8.5A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 930 mOhms @ 5.1A,10V
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 167W(Tc)
Vgs(最大值) - ±30V
Vgs(th) - 4V @ 250uA
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP11NM60 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IPP80R600P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

600mΩ 800V 8A TO-220 -55°C~150°C N-Channel 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比
SIHP12N60E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 12A 147W 380mΩ 600V 4V

暂无价格 0 对比
IRFB9N65APBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.5A(Tc) N-Channel 930 mOhms @ 5.1A,10V 167W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 650V

暂无价格 0 对比

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