STP11NM60 与 IPP80R600P7 区别
| 型号 | STP11NM60 | IPP80R600P7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-STP11NM60 | A-IPP80R600P7 |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 600mΩ |
| Moisture Level | - | NA |
| 漏源极电压Vds | - | 800V |
| RthJA max | - | 62.0K/W |
| 栅极电压Vgs | - | 2.5V,3.5V |
| Special Features | - | price/performance |
| FET类型 | - | N-Channel |
| Qgd | - | 8.0nC |
| Pin Count | - | 3.0 Pins |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220 |
| Mounting | - | THT |
| 连续漏极电流Id | - | 8A |
| RthJC max | - | 2.1 K/W |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| QG (typ @10V) | - | 20.0 nC |
| Ptot max | - | 60.0W |
| Budgetary Price €/1k | - | 0.58 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP11NM60 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IPP80R600P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600mΩ 800V 8A TO-220 -55°C~150°C N-Channel 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
SIHP12N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 12A 147W 380mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFB9N65APBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.5A(Tc) N-Channel 930 mOhms @ 5.1A,10V 167W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 650V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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