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STP10P6F6  与  IRF9Z34NPBF  区别

型号 STP10P6F6 IRF9Z34NPBF
唯样编号 A-STP10P6F6 A36-IRF9Z34NPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 10A TO220 Single HexFet -55 V 68 W 35 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 100mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 68W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 19A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 620pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 620pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP10P6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IRF9Z24NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥1.562 

阶梯数 价格
40: ¥1.562
50: ¥1.199
510 对比
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