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STP10NK60ZFP  与  IPAN60R800CE  区别

型号 STP10NK60ZFP IPAN60R800CE
唯样编号 A-STP10NK60ZFP A-IPAN60R800CE
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 600 V 0.75 Ohm Flange Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 750mΩ@4.5A,10V 800mΩ
漏源极电压Vds 600V 600V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 35W(Tc) -
Rth - 4.6K/W
栅极电压Vgs ±30V 2.5V,3.5V
RthJA max - 80.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 8.9nC
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 TO-220FP TO-220 FullPAK
Mounting - THT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C~150°C
连续漏极电流Id 10A 8.4A
系列 SuperMESH™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA -
Ptot max - 27.0W
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1370pF @ 25V -
QG - 17.2nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Budgetary Price €€/1k - 0.28
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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TO-220FP

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