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STP10NK60ZFP  与  IPA80R650CEXKSA2  区别

型号 STP10NK60ZFP IPA80R650CEXKSA2
唯样编号 A-STP10NK60ZFP A-IPA80R650CEXKSA2
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 0.75 Ohm Flange Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-220-FP MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 33W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 750mΩ@4.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 35W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1100pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220FP TO-220-3 整包
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 470uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
系列 SuperMESH™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1370pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 650 毫欧 @ 5.1A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 8A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 800V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP10NK60ZFP STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

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