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STP100N6F7  与  IRFB3307ZPBF  区别

型号 STP100N6F7 IRFB3307ZPBF
唯样编号 A-STP100N6F7 A36-IRFB3307ZPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.6mΩ
Qg-栅极电荷 - 79nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 120A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4750pF
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 230W
FET类型 - N-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4750pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC
库存与单价
库存 0 33
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
8+ :  ¥6.556
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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