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STP100N6F7  与  IRF1407PBF  区别

型号 STP100N6F7 IRF1407PBF
唯样编号 A-STP100N6F7 A36-IRF1407PBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO220 Single N-Channel 75 V 330 W 160 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.8mΩ
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 330W
Qg-栅极电荷 - 160 nC
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 130A
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1 Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5600pF @ 25V
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5600pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 167
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥5.192
100+ :  ¥4.169
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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10: ¥5.192
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